蒸發鍍是指在真空中，通過一定的手段加熱靶材，使得靶材蒸發從而使原子或分子從表面氣化逸出，形成氣流并入射到基片上沉積為固態薄膜的鍍膜方法。

磁控濺射的工作原理（圖1.2）是在真空室中充入氬氣，進行輝光放電，電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子，新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。如圖1.2。優點：“高速”、“低溫”；缺點：靶材利用率低，一般僅為20%-35%。

多弧離子鍍是采用電弧放電的方法，在固體的陰極靶材上直接蒸發金屬，蒸發物是從陰極弧光輝點放出的陰極物質的離子，從而在基材表面沉積成為薄膜的方法，膜層附著強度大大提高。優點：離子鍍工藝綜合了蒸發（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，并有很好的繞射性，可為形狀復雜的工件鍍膜。缺點是膜層顆粒較多，有雜質。