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        離子鍍膜源

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        離子鍍膜源

        PIC離子鍍膜源


        PIC(Pure Ion Coating)特征是:在真空條件下點火碳頭敲擊至陽極內的陰極靶(碳靶)上,靶面被瞬間激發產生電場,在放電空間中,工藝氣體的氣體原子與電子發生碰撞使氣體離化產生等離子體,并受到基片前負電位電場加速,轟擊沉積在基片表面。純離子鍍膜形成的膜基結合力好、膜層的繞鍍性好、膜層組織可控能數多、膜層粒子總體能量高,容易進行反應沉積,可以在較低溫度下獲得化合物膜層。


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